2N7000 MOSFET N

2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida  de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.

Estos transistores son utilizados en diversas aplicaciones de conmutación de señales eléctricas de baja tensión y baja corriente, como por ejemplo para el control de pequeños servomotores, controladores de puerta MOSFET y otras aplicaciones de conmutación.

ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS

• Serie: 2N7000
• Tipo de transistor: MOSFET
• Estilo de montaje: Through Hole
• Paquete / Cubierta: TO-92-3
• Polaridad del transistor: Canal N
• Número de canales: 1 Canal
• Voltaje de Drenaje a Fuente Vds: 60V
• Corriente Continua  de Drenaje Id: 200mA
• Resistencia de Activación Rds(on): 5 Ohms
• Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
• Disipación de Potencia Pd: 400mW
• Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
• Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
• Altura: 5.33 mm
• Longitud: 5.2 mm
• Ancho: 4.19 mm