IRF4905 MOSFET P

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.
Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.
Los mosfet de enriquecimiento pueden ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como canal p (pMOS). El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquier de los dos dispositivos.

El transistor mosfet IRF4905 Tipo T, es un mosfet de -100V de canal P de potencia que proporciona al diseñador con la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad.
La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria.
Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.